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Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LQ

Numero parte MFG
TK33S10N1Z,LQ
quantità disponibile
17730 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.5096
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TK33S10N1Z,LQ specificazioni

codice articolo del costruttore TK33S10N1Z,LQ
Numero di parte futuro FT-TK33S10N1Z,LQ
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSVIII-H
TK33S10N1Z,LQ Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK+
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK33S10N1Z,LQ Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TK33S10N1Z,LQ-FT

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