casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLR3636TRPBF
codice articolo del costruttore | IRLR3636TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRLR3636TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLR3636TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3779pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 143W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR3636TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLR3636TRPBF-FT |
ZVP2110ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP2120A
Diodes Incorporated
ZVP2120ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP2120ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP3306ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP3306ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP3310ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP3310ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP3310ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP4105A
Diodes Incorporated
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel