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ON Semiconductor FDC6301N_G

Name: FDC6301N_G
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDC6301N_G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (221 reviews)

Numero parte MFG: FDC6301N_G

quantità disponibile: 45860 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDC6301N_G.pdf

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FDC6301N_G specificazioni

codice articolo del costruttore	FDC6301N_G
Numero di parte futuro	FT-FDC6301N_G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
FDC6301N_G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 10V
Potenza - Max	700mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	SuperSOT™-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC6301N_G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDC6301N_G-FT

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