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ON Semiconductor FDC6301N_G
- Numero parte MFG
- FDC6301N_G
- quantità disponibile
- 45860 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- FDC6301N_G.pdf
FDC6301N_G specificazioni
| codice articolo del costruttore | FDC6301N_G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-FDC6301N_G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| FDC6301N_G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 220mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| Potenza - Max | 700mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-6 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDC6301N_G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | FDC6301N_G-FT |
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