casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF7341GTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF7341GTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7341GTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7341GTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 25V |
Potenza - Max | 2.4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7341GTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7341GTRPBF-FT |
IRF7301TRPBF
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IRF7303TRPBF
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XCV400-4FG676I
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XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-VQ100
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10M40DCF484C8G
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EP3C25U256A7N
Intel
LFE3-150EA-9FN1156C
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LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
Intel
EP3SL150F780C4N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel