casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF7343QTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF7343QTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7343QTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7343QTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A, 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7343QTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7343QTRPBF-FT |
IRF7313TRPBF
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LCMXO1200E-4FTN256C
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EP2S60F672C3
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XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F672I
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LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation