casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF7341QTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF7341QTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7341QTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7341QTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 25V |
Potenza - Max | 2.4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7341QTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7341QTRPBF-FT |
IRF7341TRPBF
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XC4020XL-2HT176I
Xilinx Inc.
EP4CGX110DF27C8
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XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
ICE40UL640-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DAU324C8G
Intel
EP3SE80F780C2N
Intel
EP20K400CB652I8ES
Intel