casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDA59N30
codice articolo del costruttore | FDA59N30 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FDA59N30 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDA59N30 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 29.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4670pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDA59N30 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDA59N30-FT |
RJK0355DSP-01#J0
Renesas Electronics America
RJK0393DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
HAT2192WP-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2287WP-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2299WP-EL-E
Renesas Electronics America
RJK0346DPA-01#J0B
Renesas Electronics America
RJK0353DPA-01#J0B
Renesas Electronics America
RJK1555DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK1557DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK2055DPA-00#J0
Renesas Electronics America
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel