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codice articolo del costruttore | FCI25N60N-F102 |
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Numero di parte futuro | FT-FCI25N60N-F102 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SupreMOS™ |
FCI25N60N-F102 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3352pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 216W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCI25N60N-F102 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCI25N60N-F102-FT |
IPZ65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
BSS192PH6327FTSA1
Infineon Technologies
BSS87H6327FTSA1
Infineon Technologies
BSS225H6327FTSA1
Infineon Technologies
BSS606NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS192PE6327
Infineon Technologies
BSS192PE6327T
Infineon Technologies
BSS192PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS192PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS225
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel