casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS225H6327FTSA1
codice articolo del costruttore | BSS225H6327FTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS225H6327FTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSS225H6327FTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 Ohm @ 90mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 131pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS225H6327FTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS225H6327FTSA1-FT |
IPI80N06S3-05
Infineon Technologies
IPI80N06S3-07
Infineon Technologies
IPI80N06S3L-05
Infineon Technologies
IPI80N06S3L-08
Infineon Technologies
IPI80N06S3L06XK
Infineon Technologies
IPI80N06S405AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S407AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S4L05AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S4L07AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N08S207AKSA1
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel