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Infineon Technologies BSS192PE6327

Numero parte MFG
BSS192PE6327
quantità disponibile
91460 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
SIPMOS® MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSS192PE6327 specificazioni

codice articolo del costruttore BSS192PE6327
Numero di parte futuro FT-BSS192PE6327
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSS192PE6327 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 190mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 104pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT89
Pacchetto / caso TO-243AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS192PE6327 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSS192PE6327-FT

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