casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS192PE6327
codice articolo del costruttore | BSS192PE6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS192PE6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSS192PE6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 190mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 104pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS192PE6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS192PE6327-FT |
IPI80N06S3L-05
Infineon Technologies
IPI80N06S3L-08
Infineon Technologies
IPI80N06S3L06XK
Infineon Technologies
IPI80N06S405AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S407AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S4L05AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S4L07AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N08S207AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P03P4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P03P4L07AKSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel