casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / F3L200R07PE4BOSA1
codice articolo del costruttore | F3L200R07PE4BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-F3L200R07PE4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F3L200R07PE4BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 680W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 12.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F3L200R07PE4BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F3L200R07PE4BOSA1-FT |
MUBW50-17T8
IXYS
MUBW75-06A8
IXYS
MUBW75-12T8
IXYS
MUBW75-17T8
IXYS
MWI100-06A8
IXYS
MWI100-12A8
IXYS
MWI100-12T8T
IXYS
MWI15-12A7
IXYS
MWI150-06A8
IXYS
MWI150-12T8T
IXYS
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation