casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MUBW75-12T8
codice articolo del costruttore | MUBW75-12T8 |
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Numero di parte futuro | FT-MUBW75-12T8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUBW75-12T8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 110A |
Potenza - Max | 355W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 4mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.35nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW75-12T8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUBW75-12T8-FT |
APTGT75H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DA65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100SK65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ150TA65TPG
Microsemi Corporation
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation
A3P125-TQG144
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F40C2LN
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ABC356-4
Intel
EPF10K20RC208-4N
Intel