casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MWI150-06A8

| codice articolo del costruttore | MWI150-06A8 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MWI150-06A8 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MWI150-06A8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 170A |
| Potenza - Max | 515W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 150A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 1.5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | E3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | E3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MWI150-06A8 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MWI150-06A8-FT |

APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100SK65T1G
Microsemi Corporation

APTGTQ150TA65TPG
Microsemi Corporation

APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation

DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies

FD600R17KE3KB5NOSA1
Infineon Technologies

FF1200R12KE3NOSA1
Infineon Technologies

XC3S700A-4FGG484C
Xilinx Inc.

XC3S1400AN-4FGG484I
Xilinx Inc.

A3PN030-Z2VQ100I
Microsemi Corporation

EP3C10F256I7N
Intel

EP4SE530F43I3N
Intel

5SGXEA7K3F35I3N
Intel

XC7VX690T-3FFG1157E
Xilinx Inc.

A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation

LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SE50F780C4L
Intel