casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EU 2ZV1
codice articolo del costruttore | EU 2ZV1 |
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Numero di parte futuro | FT-EU 2ZV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EU 2ZV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 400ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EU 2ZV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EU 2ZV1-FT |
EK 14V0
Sanken
EK 16V
Sanken
EK 16V0
Sanken
EK 19V
Sanken
EK 19V0
Sanken
EL 1V
Sanken
EL 1V0
Sanken
EL 1ZV
Sanken
EL 1ZV0
Sanken
EL 1ZV1
Sanken
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel