casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EL 1ZV1
codice articolo del costruttore | EL 1ZV1 |
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Numero di parte futuro | FT-EL 1ZV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL 1ZV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL 1ZV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EL 1ZV1-FT |
CMS15(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS15I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS17(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS20I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS21(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I30C(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I40B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel