codice articolo del costruttore | EL 1V |
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Numero di parte futuro | FT-EL 1V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL 1V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL 1V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EL 1V-FT |
CMG07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS08(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS09(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS15(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS15I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS17(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS20I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS21(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel