codice articolo del costruttore | EL 1V0 |
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Numero di parte futuro | FT-EL 1V0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL 1V0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL 1V0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EL 1V0-FT |
CMH07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS08(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS09(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS15(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS15I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS17(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS20I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS21(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation