casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH2BHE3/5BT
codice articolo del costruttore | ESH2BHE3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-ESH2BHE3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH2BHE3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH2BHE3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH2BHE3/5BT-FT |
SS25-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel