casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH1D R3G
codice articolo del costruttore | ESH1D R3G |
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Numero di parte futuro | FT-ESH1D R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH1D R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 15ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1D R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH1D R3G-FT |
ES1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2AAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK210A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH1C R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel