casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1G R3G
codice articolo del costruttore | ES1G R3G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1G R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1G R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1G R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1G R3G-FT |
S1JL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel