casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1G R3G
codice articolo del costruttore | ES1G R3G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1G R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1G R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1G R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1G R3G-FT |
S1JL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel