casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH1D-M3/61T
codice articolo del costruttore | ESH1D-M3/61T |
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Numero di parte futuro | FT-ESH1D-M3/61T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH1D-M3/61T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1D-M3/61T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH1D-M3/61T-FT |
BYG22B-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23T-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel