casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG23T-M3/TR3
codice articolo del costruttore | BYG23T-M3/TR3 |
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Numero di parte futuro | FT-BYG23T-M3/TR3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYG23T-M3/TR3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1300V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG23T-M3/TR3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG23T-M3/TR3-FT |
US1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1K-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B130-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B160-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10YHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel