casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG23M-M3/TR3
codice articolo del costruttore | BYG23M-M3/TR3 |
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Numero di parte futuro | FT-BYG23M-M3/TR3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG23M-M3/TR3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG23M-M3/TR3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG23M-M3/TR3-FT |
SS1H10-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1K-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B130-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B160-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel