casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG22D-M3/TR
codice articolo del costruttore | BYG22D-M3/TR |
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Numero di parte futuro | FT-BYG22D-M3/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG22D-M3/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG22D-M3/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG22D-M3/TR-FT |
B360A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10YHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation