casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2DA M2G
codice articolo del costruttore | ES2DA M2G |
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Numero di parte futuro | FT-ES2DA M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2DA M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2DA M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2DA M2G-FT |
ESH1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1MHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel