casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1BHR3G
codice articolo del costruttore | S1BHR3G |
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Numero di parte futuro | FT-S1BHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S1BHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1BHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1BHR3G-FT |
HS1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2MA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2GAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK34A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK36A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA5U50 E3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel