casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / EPC2105ENG
codice articolo del costruttore | EPC2105ENG |
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Numero di parte futuro | FT-EPC2105ENG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC2105ENG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V |
Potenza - Max | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2105ENG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EPC2105ENG-FT |
BSC750N10NDGATMA1
Infineon Technologies
BTS7904BATMA1
Infineon Technologies
DF23MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
DF11MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
DF11MR12W1M1B11BOMA1
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DF23MR12W1M1B11BOMA1
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FTCO3V455A1
ON Semiconductor
FDMJ1023PZ
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FDMD8580
ON Semiconductor
FDMD85100
ON Semiconductor
A3PE600-FGG484
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MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
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10M04SCU169C8G
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5SGXMA5K2F35I3N
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XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
XC7K410T-1FFG900C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FFG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-2CPG196C
Xilinx Inc.
5CGXBC9C6F23C7N
Intel