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EPC EPC2105ENG

Name: EPC2105ENG
Brand: EPC
SKU: EPC2105ENG
Availability: InStock
Rating: 4.7 (134 reviews)

Numero parte MFG: EPC2105ENG

quantità disponibile: 42990 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: EPC

Breve descrizione: eGaN® GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: EPC2105ENG.pdf

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EPC2105ENG specificazioni

codice articolo del costruttore	EPC2105ENG
Numero di parte futuro	FT-EPC2105ENG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	eGaN®
EPC2105ENG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 40V
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	Die
Pacchetto dispositivo fornitore	Die
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2105ENG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	EPC2105ENG-FT

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