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EPC EPC2102ENG

Name: EPC2102ENG
Brand: EPC
SKU: EPC2102ENG
Availability: InStock
Rating: 4.5 (658 reviews)

Numero parte MFG: EPC2102ENG

quantità disponibile: 47840 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: EPC

Breve descrizione: eGaN® GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: EPC2102ENG.pdf

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EPC2102ENG specificazioni

codice articolo del costruttore	EPC2102ENG
Numero di parte futuro	FT-EPC2102ENG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	eGaN®
EPC2102ENG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 30V
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	Die
Pacchetto dispositivo fornitore	Die
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2102ENG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	EPC2102ENG-FT

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