casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IPG20N06S4L14ATMA2
codice articolo del costruttore | IPG20N06S4L14ATMA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPG20N06S4L14ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPG20N06S4L14ATMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.7 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2890pF @ 25V |
Potenza - Max | 50W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPG20N06S4L14ATMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPG20N06S4L14ATMA2-FT |
APTC60DSKM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60TAM35PG
Microsemi Corporation
APTC60TDUM35PG
Microsemi Corporation
APTC80TA15PG
Microsemi Corporation
APTC80TDU15PG
Microsemi Corporation
APTM08TAM04PG
Microsemi Corporation
APTM100TA35FPG
Microsemi Corporation
APTM10TAM09FPG
Microsemi Corporation
APTM10TAM19FPG
Microsemi Corporation
APTM20TAM16FPG
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-3BGG272I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C7N
Intel
5SGXMA5K1F35C1N
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel