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Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1
- Numero parte MFG
- IPG20N10S4L35ATMA1
- quantità disponibile
- 52200 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.377808
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IPG20N10S4L35ATMA1.pdf
IPG20N10S4L35ATMA1 specificazioni
| codice articolo del costruttore | IPG20N10S4L35ATMA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IPG20N10S4L35ATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| IPG20N10S4L35ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V |
| Potenza - Max | 43W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-4 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPG20N10S4L35ATMA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IPG20N10S4L35ATMA1-FT |
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