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Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1

Name: IPG20N10S4L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L35ATMA1
Price: 0.377808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (602 reviews)

Numero parte MFG: IPG20N10S4L35ATMA1

quantità disponibile: 52200 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.377808

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 8TDSON

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPG20N10S4L35ATMA1.pdf

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IPG20N10S4L35ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPG20N10S4L35ATMA1
Numero di parte futuro	FT-IPG20N10S4L35ATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPG20N10S4L35ATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 16µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1105pF @ 25V
Potenza - Max	43W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8-4
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG20N10S4L35ATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPG20N10S4L35ATMA1-FT

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