casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / EPC2051ENGRT
codice articolo del costruttore | EPC2051ENGRT |
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Numero di parte futuro | FT-EPC2051ENGRT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC2051ENGRT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 3A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 5V |
Vgs (massimo) | +6V, -4V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Pacchetto / caso | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2051ENGRT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EPC2051ENGRT-FT |
FDMC7692S-F126
ON Semiconductor
FDMC7660DC
ON Semiconductor
FDMC612PZ
ON Semiconductor
FDMC4435BZ-F126
ON Semiconductor
FDMC3612
ON Semiconductor
FDMC3020DC
ON Semiconductor
FDMC8321LDC
ON Semiconductor
FDMC2514SDC
ON Semiconductor
FDMC15N06
ON Semiconductor
FDMB668P
ON Semiconductor
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel