casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / EMA8T2R
codice articolo del costruttore | EMA8T2R |
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Numero di parte futuro | FT-EMA8T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMA8T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA8T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMA8T2R-FT |
RN4910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4984(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4986(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4988(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4989(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN49A1(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2702TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2711(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
QSH29TR
Rohm Semiconductor
XC6SLX75-2FGG484C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-2N
Intel
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP20E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2U19A7N
Intel
10AX066K2F40E1SG
Intel
10AX115N1F40E1SG
Intel
10CL120ZF780I8G
Intel
EPF10K30AQC208-2
Intel