casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / EMA8T2R
codice articolo del costruttore | EMA8T2R |
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Numero di parte futuro | FT-EMA8T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMA8T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA8T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMA8T2R-FT |
RN4910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4984(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4986(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4988(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4989(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN49A1(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2702TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2711(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
QSH29TR
Rohm Semiconductor
A54SX08-TQG144
Microsemi Corporation
XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
5AGXMB1G6F31C6N
Intel
EP3C25F324C6N
Intel
EP20K100EQI240-3
Intel