casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN4910(T5L,F,T)
codice articolo del costruttore | RN4910(T5L,F,T) |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN4910(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN4910(T5L,F,T) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4910(T5L,F,T) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN4910(T5L,F,T)-FT |
RN2969FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2971FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1701JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1702JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1704JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2709JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2711JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2712JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX08-TQG144
Microsemi Corporation
XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
5AGXMB1G6F31C6N
Intel
EP3C25F324C6N
Intel
EP20K100EQI240-3
Intel