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codice articolo del costruttore | ELL-6UH101M |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-6UH101M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H |
ELL-6UH101M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 100µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 600mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 360 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.197" (5.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6UH101M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-6UH101M-FT |
ELL-VEG100M
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ELL-CTV180M
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel