casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGL41DHE3_A/H
codice articolo del costruttore | EGL41DHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-EGL41DHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
EGL41DHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGL41DHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGL41DHE3_A/H-FT |
BYG24GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
JAN1N6642UB
Microsemi Corporation
JAN1N6642UBD
Microsemi Corporation
JANTX1N3647
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel