casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTX1N3647
codice articolo del costruttore | JANTX1N3647 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX1N3647 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/279 |
JANTX1N3647 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 3000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 5V @ 250mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 3000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | S, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | S, Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N3647 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX1N3647-FT |
EGP31F-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31F-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31G-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31G-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51A-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51A-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51B-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51B-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51C-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51C-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation