casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG24JHE3_A/H
codice articolo del costruttore | BYG24JHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-BYG24JHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG24JHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 140ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG24JHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG24JHE3_A/H-FT |
EGP31B-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31B-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31C-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31C-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31D-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31D-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31F-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31F-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31G-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31G-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel