casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG24GHE3_A/I
codice articolo del costruttore | BYG24GHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-BYG24GHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG24GHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 140ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG24GHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG24GHE3_A/I-FT |
1N6621US
Microsemi Corporation
EGP31A-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31A-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31B-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31B-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31C-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31C-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31D-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31D-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31F-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel