casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / EFC4619R-TR
codice articolo del costruttore | EFC4619R-TR |
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Numero di parte futuro | FT-EFC4619R-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EFC4619R-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.7nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.6W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-XFBGA, FCBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | EFCP1616-4CE-022 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EFC4619R-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EFC4619R-TR-FT |
SIZ980DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIZ902DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIZ918DT-T1-GE3
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Vishay Siliconix
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APA075-TQ144I
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
AGLE3000V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3
Intel
EP3SL70F484C2
Intel
A40MX02-PQG100
Microsemi Corporation
10AX115N4F40I4SGES
Intel
EPF10K70RC240-2N
Intel