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Vishay Siliconix SI8900EDB-T2-E1

Name: SI8900EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8900EDB-T2-E1
Price: 1.37544 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (687 reviews)

Numero parte MFG: SI8900EDB-T2-E1

quantità disponibile: 35330 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.37544

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SI8900EDB-T2-E1.pdf

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SI8900EDB-T2-E1 specificazioni

codice articolo del costruttore	SI8900EDB-T2-E1
Numero di parte futuro	FT-SI8900EDB-T2-E1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SI8900EDB-T2-E1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	10-UFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8900EDB-T2-E1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SI8900EDB-T2-E1-FT

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