casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA123JEBHZGTL
codice articolo del costruttore | DTA123JEBHZGTL |
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Numero di parte futuro | FT-DTA123JEBHZGTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DTA123JEBHZGTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT3F (SOT-416FL) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA123JEBHZGTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA123JEBHZGTL-FT |
DTC143ZCAHZGT116
Rohm Semiconductor
DTC143ZCAT116
Rohm Semiconductor
DTC144ECAHZGT116
Rohm Semiconductor
DTC144ECAT116
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DTC144VCAT116
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DTD113ECHZGT116
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DTD113ECT116
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DTD113ZCHZGT116
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