casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTC143ZCAT116
codice articolo del costruttore | DTC143ZCAT116 |
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Numero di parte futuro | FT-DTC143ZCAT116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTC143ZCAT116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC143ZCAT116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTC143ZCAT116-FT |
DTC024EUBTL
Rohm Semiconductor
DTC024XUBTL
Rohm Semiconductor
DTC043TUBTL
Rohm Semiconductor
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DTC914TUBTL
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LFE2-70SE-6FN900I
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10AX027E3F27E2LG
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XC7VX485T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN672I
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EP1C4F400C8N
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