casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTC144ECAHZGT116
codice articolo del costruttore | DTC144ECAHZGT116 |
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Numero di parte futuro | FT-DTC144ECAHZGT116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DTC144ECAHZGT116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 350mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC144ECAHZGT116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTC144ECAHZGT116-FT |
DTC024XUBTL
Rohm Semiconductor
DTC043TUBTL
Rohm Semiconductor
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LFE2-12E-5TN144C
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XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484
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EPF10K250EFC672-1
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5SGSMD3E2H29I3LN
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5SGSMD4E2H29I3L
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5SGXMA7H2F35C2LN
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EP3SE110F1152C2N
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