casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSB2810
codice articolo del costruttore | DSB2810 |
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Numero di parte futuro | FT-DSB2810 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSB2810 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 75mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 410mV @ 1mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 15V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSB2810 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSB2810-FT |
JANTX1N1190
Microsemi Corporation
JANTX1N1184
Microsemi Corporation
JANS1N5617US
Microsemi Corporation
JANS1N5418
Microsemi Corporation
JAN1N914
Microsemi Corporation
JANTX1N6640US
Microsemi Corporation
JANTX1N6642US
M/A-Com Technology Solutions
JAN1N6642US
Microsemi Corporation
JANTX1N6638U
Microsemi Corporation
JANTX1N6638US
M/A-Com Technology Solutions
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel