casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N914
codice articolo del costruttore | JAN1N914 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N914 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/116 |
JAN1N914 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 50mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 20ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2.8pF @ 1.5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 (DO-204AH) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N914 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N914-FT |
JANTXV1N4150-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N3595-1
Microsemi Corporation
JANTX1N3671A
Microsemi Corporation
CDLL5711
Microsemi Corporation
1N4454UR-1
Microsemi Corporation
1N914UR
Microsemi Corporation
CDLL5195
Microsemi Corporation
CDLL5712
Microsemi Corporation
CDLL6675
Microsemi Corporation
CDLL6676
Microsemi Corporation
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation