casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANS1N5418
codice articolo del costruttore | JANS1N5418 |
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Numero di parte futuro | FT-JANS1N5418 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/411 |
JANS1N5418 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 165pF @ 4V |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N5418 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS1N5418-FT |
JANTXV1N4249
Microsemi Corporation
JANTXV1N4150-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N3595-1
Microsemi Corporation
JANTX1N3671A
Microsemi Corporation
CDLL5711
Microsemi Corporation
1N4454UR-1
Microsemi Corporation
1N914UR
Microsemi Corporation
CDLL5195
Microsemi Corporation
CDLL5712
Microsemi Corporation
CDLL6675
Microsemi Corporation
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel