casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DSA50C100HB
codice articolo del costruttore | DSA50C100HB |
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Numero di parte futuro | FT-DSA50C100HB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSA50C100HB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 25A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 450µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSA50C100HB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSA50C100HB-FT |
MBRB20100CT-TP
Micro Commercial Co
MBRB10100CT-TP
Micro Commercial Co
MBRB1040CT-TP
Micro Commercial Co
MBRB20200CT-TP
Micro Commercial Co
DUR6030WT
Littelfuse Inc.
DUR6040WT
Littelfuse Inc.
LFUSCD20120B
Littelfuse Inc.
LFUSCD30120B
Littelfuse Inc.
MBRF10150CTL
Littelfuse Inc.
MBRF30150CT
Littelfuse Inc.
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel