casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRF30150CT
codice articolo del costruttore | MBRF30150CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBRF30150CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MBR |
MBRF30150CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF30150CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRF30150CT-FT |
BAS40-06/ZLVL
NXP USA Inc.
BAV170/ZLR
NXP USA Inc.
BAV170/ZLVL
NXP USA Inc.
BAV199/ZLR
NXP USA Inc.
BAV199/ZLVL
NXP USA Inc.
BAW156/ZLR
NXP USA Inc.
BAW156/ZLVL
NXP USA Inc.
BAT120C,115
Nexperia USA Inc.
BAT160A,115
Nexperia USA Inc.
BAT160S,115
Nexperia USA Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel