casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / LFUSCD20120B
codice articolo del costruttore | LFUSCD20120B |
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Numero di parte futuro | FT-LFUSCD20120B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LFUSCD20120B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LFUSCD20120B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LFUSCD20120B-FT |
BAS40-04/ZLVL
NXP USA Inc.
BAS40-05/ZLR
NXP USA Inc.
BAS40-05/ZLVL
NXP USA Inc.
BAS40-06/ZLVL
NXP USA Inc.
BAV170/ZLR
NXP USA Inc.
BAV170/ZLVL
NXP USA Inc.
BAV199/ZLR
NXP USA Inc.
BAV199/ZLVL
NXP USA Inc.
BAW156/ZLR
NXP USA Inc.
BAW156/ZLVL
NXP USA Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel