casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRB1040CT-TP
codice articolo del costruttore | MBRB1040CT-TP |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB1040CT-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRB1040CT-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 40V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB1040CT-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB1040CT-TP-FT |
BYV34G-600,127
WeEn Semiconductors
BYQ28ED-200,118
WeEn Semiconductors
BYQ28ED-200PLJ
WeEn Semiconductors
BAS40-04/ZLR
NXP USA Inc.
BAS40-04/ZLVL
NXP USA Inc.
BAS40-05/ZLR
NXP USA Inc.
BAS40-05/ZLVL
NXP USA Inc.
BAS40-06/ZLVL
NXP USA Inc.
BAV170/ZLR
NXP USA Inc.
BAV170/ZLVL
NXP USA Inc.
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation